AP3N10BI场效应管MOSFET N沟道耐压:100V 电流:2.8A SOT-23 丝印MA4

AP3N10BI采用先进的沟槽技术，可提供出色的Ros(oN)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压，适合用作电池保护或其它开关应用。N沟道 耐压:100V 电流:2.8A SOT-23 丝印MA4

AP3N10BI

3N10

AP3N10

品牌：AP

参考价：0.11 库存：99999+

产品描述：

AP3N10BI采用先进的沟槽技术，可提供出色的Ros(oN)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压，适合用作电池保护或其它开关应用。

N沟道耐压:100V 电流:2.8A SOT-23 丝印MA4

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