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功率器件


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WG601 WG601 WG601 1N65 MOS管 650V 1A N沟道 SOT23-3 1N65 Low Intrinsic Capacitances.□ Excellent Switching Characteristics.□ Extended Safe OperatingArea.□ Unrivalled Gate Char... 99999+ 0.21
ASC50N3300MT4 ASC50N3300MT4 ASC50N3300MT4 ASC20N3300MT4 3300V 国产SiC碳化硅MOS管 车规级 60A 20A ASC50N3300MT4,ASC20N3300MT4 99999+ 电询
ASR320N650MD ASR320N650MD ASR320N650MD56 ASR320N650MD88 国产SiC碳化硅MOS管 650V 8A 车规级 PDFN ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASR90N650MD88PB ASR90N650MD88PB ASR90N650MD88PB 国产SiC碳化硅MOS管 650V 25A 车规级 PDFN8*8 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASC30N650 ASC30N650 ASC30N650MF3 ASC30N650MT3 ASC30N650MT4 ASC30N650MT4PB ASR60N650MD88 国产SiC碳化硅MOS管 650V 30A 车规级 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASC60N650 ASC60N650 ASC60N650MT3 ASC60N650MT4 ASC60N650MT7 ASR35N650MD02 ASR35N650MD88 国产SiC碳化硅MOS管 650V 60A 车规级 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASR12N650MD02 ASR12N650MD02 ASR12N650MD02 国产SiC碳化硅MOS管 650V 100A TOLL 车规级 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASC100N650 ASC100N650 ASC100N650MT3 ASC100N650MT4 ASC100N650MT4PB 国产SiC碳化硅MOS管 650V 100A TO-247 车规级 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
M4643 M4643 4643 替代LTM4643 纯国产兼容4643 输出电压范围为0.6V~5.5V,可提供四路3A电流,四通道并联使用时。应用于工业设备、存储和ATCA卡、通信及计算机技术、FPGA、DSP和... 99999+ 面议
M4622 M4622 4622 替代LTM4622 纯国产兼容4622 双路2.5A 电流,双通道并联使用时,可提供单路5A 电流。应用于工业设备、存储和ATCA卡、通信及计算机技术、FPGA、DSP和ASIC 99999+ 面议
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