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碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。
Model Name | Current | R(on) | Vgs | Package | Status |
ASC50N3300MT4 | 60A | 58mohm | 18V | TO-247-4 | Product |
ASC20N3300MT4 | 20A | 160mohm | 18V | TO-247-4 | Product |