RM6601 RM6602 RM6604 副边反馈SSR+QR隔离开关电源芯片

RM6601NDQ是一款高性能高可靠性准谐振电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准。RM6601NDQ集成多种工作模式，最大支持130Khz工作频率，在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6601NDQ采用专有驱动技术，直驱E-mode GaN FET；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6601NDQ本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。RM6601NDQ同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCCOVP,内置OTP，外置OVP,欠压锁定(uvlo)，逐周期过流保护0CP，过载保护（OLP)，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。

RM6602NDQ是一款内置650V GaNFET,高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，QR工作模式，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。RM6602NDQ集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6602NDQ采用专有的驱动技术，搭配高压GaNFET功率器件改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6602NDQ本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。RM6602NDQ同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCCOVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定（uvlo），逐周期过流保护OCP，过载保护（OLP），输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿。

RM6604NDQ是一款内置650V GaNFET,高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，QR工作模式，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。RM6604NDQ集成多种工作模式，最大支持130Khz工作频率，在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6604NDQ采用专有驱动技术，直驱E-mode GaN FET；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6604NDQ本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。RM6604NDQ同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCCOVP，内置OTP,外置OVP，欠压锁定（uvlo），逐周期过流保护OCP,过载保护（OLP），输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿。

准谐振工作模式;

内置700V高压启动； 内置650V GaNFET;

支持最大130KHz工作频率； 内置特有抖频技术改善EMI；

Burst Mode去噪音；

低启动电流（2uA)，低工作电流； 集成斜坡补偿；

集成输入Brown out/in 功能； 外置OVP保护；

具有输出肖特基短路保护；

内置OVP/OTP/OCP/OLPUVLO等多种保护。

应用领域   电源适配器 开放式电源 TV/机顶盒电源 PD快充电器

原理图仅供参考 以规格书为准

副边反馈（SSR）+QR