RM6510 RM6514 RM6515 RM6517 副边反馈SSR+QR隔离开关电源芯片
产品描述：
RM651X是一种离线式开关电源管理芯 片，内置电流模式 PWM+PFM 控制器,支持谷 底检测开通功能，满足六级能效标准。
RM651X采用低电流启动模式及低工作 电流，减少待机损耗。芯片内置多种工作模 式，在空载情况下，芯片进入 Burst mode 模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效 率；在轻载情况下，电路进入 QR 模式，有 效提高电路的转换效率；在低压重载情况 下，电路进入固定频率 CCM 模式。内部集成 斜坡补偿模块，有利于 CCM 模式下系统闭环 反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。
芯片外置 OVP 保护功能，可以通过 VSET 管脚的上偏电阻调节芯片的 OVP 保护上限， 以满足不同条件的用户需求。 芯片内部集成多种异常状态保护功能， 包括 VDD 欠压保护及过压保护，过载保护， CS 过流和悬空保护，过温保护功能。在电路 发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启 检测，直至异常解除为止，输出正常。
Burst mode 模式去除音频噪音并提高轻载效率
低启动电流和工作电流 满足六级能效标准
满载65KHz固定频率 QR/谷底开通模式
轻载/空载Burst mode 软启动功能
具备抖频模式降低EMI 电流模式控制
内置CS管脚短路保护功能 内置斜坡补偿功能 内置前沿消隐
VDD过压保护和欠压保护 过载保护和过温保护 外置输出OVP 逐周期限流功能
输出二极管短路保护功能
应用领域 电源适配器 开放式电源 TV/机顶盒电源
副边反馈（SSR）+QR
| 产品型号 | 功能特点 | 典型功率 | 功率器件 | 最大频率 | 封装形式 |
|---|---|---|---|---|---|
| RM6514S | CCM/QR、六级能效标准 | 18W/24W | 内置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6515D | CCM/QR、六级能效标准 | 18W/24W | 内置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6517D | CCM/QR、六级能效标准 | 30W/36W | 内置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6510T | CCM/QR、六级能效标准 | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6500SA | CCM/QR、六级能效标准 | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6522SA | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 15W/18W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6500S | CCM/QR、六级能效标准 | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6526D | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 25W/30W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524D | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6523D | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 18W/20W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6522D | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 12W/15W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524SAL | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6524SA | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SAL | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6523SAH | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SA | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6528NS | 内置⾼压GaNFET QR/⾕底开通模式 | 20W/25W | 内置GaN | 100kHz | ESOP-8 |
| RM6524NDH | 内置⾼压GaNFET QR/⾕底开通模式 | 45W/50W | 内置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6524ND | 内置⾼压GaNFET QR/⾕底开通模式 | 35W/45W | 内置GaN | 100kHz | DFN5*6 |
| RM6522ND | 内置⾼压GaNFET QR/⾕底开通模式 | 60W/65W | 内置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6520SDQ | ⾼压启动 ⾼压VCC QR/⾕底开通模式 | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520NDQ | ⾼压启动 ⾼压VCC QR/⾕底开通模式 | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520SL | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6520TN | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6604NDQ | 高压启动，QR，内置高压GaNFET,集成GaN驱动器，六级能效标准 | 36W/40W | 内置GaN | 130kHz | DFN5*6 |
| RM6602NDQ | 高压启动，QR，内置高压GaNFET,集成GaN驱动器，六级能效标准 | 65W/70W | 内置GaN | 130kHz | DFN8*8 |
| RM6601NDQ | 高压启动，QR,集成GaN驱动器，六级能效标准 | 100W/100W | 外置GaN | 130kHz | SOP-8 |
| RM6520TL | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6520T | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6520S | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 100KHZ | SOP-8 |
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