RM6316DA是一颗电流模式PWM控制芯片,内置高压功率MOSFET。RM6316DA内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(OVP),VDD过压箝位,欠压保护(UVLO)等,采用抖频技术更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。系统的跳频频率设置在音频(20KHz)以上,工作时可以避免系统产生噪音。
RM6316DA使用DIP-7无铅封装。
符合6级能效标准,在通用交流输入时待机功率<75mW
内置650V高压功率管
4ms软启动用来减少MOSFET上Vds的应力
抖频功能,改善EMI性能
跳频模式,改善轻载效率,减小待机功耗
无噪声工作
固定65KHz开关频率
内置同步斜坡补偿
低启动电流,低工作电流
内置前沿消隐(LEB)功能
保护功能:欠压保护(UVLO)
过热保护(OTP)
逐周期限流保护(OCP)
过载保护(OLP)
过压保护(OVP)
应用领域
电源适配器 开放式电源 TV/机顶盒电源 AC/DC电源适配器 充电器 辅助电源
产品型号 | 功能特点 | 典型功率 | 功率器件 | 最大频率 | 封装形式 |
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RM6312S | 低启动电流,低工作电流 4ms软启动 六级能效标准 | 7.5W/10W | 内置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6316DA | 低启动电流,低工作电流 4ms软启动 六级能效标准 | 24W/30W | 内置MOS | 65kHz | DIP-7 |
RM6534S | 满足六级能效标准 超宽的VCC工作电压范围 极低的启动电流和工作电流 | 20W/25W | 内置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6534SL | 满足六级能效标准 超宽的VCC工作电压范围 极低的启动电流和工作电流 | 20W/22W | 内置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6533S | 满足六级能效标准 超宽的VCC工作电压范围 极低的启动电流和工作电流 | 18W/20W | 内置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6312DA | 低启动电流,低工作电流 4ms软启动 六级能效标准 | 12W/15W | 内置MOS | 65kHz | DIP-8 |
RM6314DA | 低启动电流,低工作电流 4ms软启动 六级能效标准 | 18W/24W | 内置MOS | 65kHz | DIP-8 |
RM6000T | 低启动电流,低工作电流 4ms软启动 六级能效标准 | 65W/65W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
RM6523SL | ⾼压VCC 内置MOS | 20W/25W | 内置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6524SL | ⾼压VCC 内置MOS | 20W/25W | 内置MOS | 65kHz | SOP-8 |