副边反馈 SSR+QR 亚成微AC-DC电源管理芯片 RM6514S RM6515D RM6517D RM6510T RM6500SA RM6500S RM6526D RM6524D RM6523D
产品描述：
副边反馈（SSR）+QR
| 产品型号 | 功能特点 | 典型功率 | 功率器件 | 最大频率 | 封装形式 |
|---|---|---|---|---|---|
| RM6514S | CCM/QR、六级能效标准 | 18W/24W | 内置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6515D | CCM/QR、六级能效标准 | 18W/24W | 内置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6517D | CCM/QR、六级能效标准 | 30W/36W | 内置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6510T | CCM/QR、六级能效标准 | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6500SA | CCM/QR、六级能效标准 | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6522SA | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 15W/18W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6500S | CCM/QR、六级能效标准 | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6526D | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 25W/30W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524D | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6523D | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 18W/20W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6522D | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 12W/15W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524SAL | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6524SA | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SAL | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6523SAH | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SA | 内置⾼压MOS QR/⾕底开通模式 ⾼压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6528NS | 内置⾼压GaNFET QR/⾕底开通模式 | 20W/25W | 内置GaN | 100kHz | ESOP-8 |
| RM6524NDH | 内置⾼压GaNFET QR/⾕底开通模式 | 45W/50W | 内置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6524ND | 内置⾼压GaNFET QR/⾕底开通模式 | 35W/45W | 内置GaN | 100kHz | DFN5*6 |
| RM6522ND | 内置⾼压GaNFET QR/⾕底开通模式 | 60W/65W | 内置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6520SDQ | ⾼压启动 ⾼压VCC QR/⾕底开通模式 | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520NDQ | ⾼压启动 ⾼压VCC QR/⾕底开通模式 | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520SL | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6520TN | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6604NDQ | 高压启动，QR，内置高压GaNFET,集成GaN驱动器，六级能效标准 | 36W/40W | 内置GaN | 130kHz | DFN5*6 |
| RM6602NDQ | 高压启动，QR，内置高压GaNFET,集成GaN驱动器，六级能效标准 | 65W/70W | 内置GaN | 130kHz | DFN8*8 |
| RM6601NDQ | 高压启动，QR,集成GaN驱动器，六级能效标准 | 100W/100W | 外置GaN | 130kHz | SOP-8 |
| RM6520TL | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6520T | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6520S | ⾼压VCC ， QR/⾕底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 100KHZ | SOP-8 |
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